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在半導體制造中，工藝的精確性與一致性至關重要?；瘜W氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）等先進的沉積技術依賴安瓿來儲存和輸送前驅體，以形成厚度精確、性能一致的薄膜。若安瓿在工藝過程中耗盡而未及時被發現，將導致薄膜不均勻、缺陷增多甚至器件失效，嚴重影響整批晶圓的質量。此類故障不僅會降低良率，還會推高生產成本并造成材料浪費。
安裝在半導體CVD設備前級管路的INFICON SemiQCM® SR 傳感器或 SemiQCM® CR 傳感器，可實時監測前驅體輸送狀態，及時發現異常。
SemiQCM 傳感器基于石英晶體微天平技術，配合INFICON IMM-200 頻率監控器使用，可檢測極細微的質量變化，實時反映前驅體流動狀態。對于高沸點前驅體，有時僅需處理一片晶圓就能識別輸送故障。
以鉬（Mo）前驅體監測為例。通過將SemiQCM傳感器安裝在溫度較低的前級管路中，可檢測五氯化鉬（MoCl?）或二氯二氧化鉬（MoO?Cl?）等前驅體蒸汽的凝結情況。前驅體在傳感器表面凝結會導致質量增加，進而引起頻率變化。
頻率顯著下降表明前驅體在傳感器上凝結，系統供應正常；頻率保持穩定則說明安瓿已耗盡，無前驅體輸送。通過持續監測頻率變化，SemiQCM傳感器可準確判斷前驅體狀態，觸發警報或自動響應，保障工藝穩定。
在相同工藝條件下，SemiQCM傳感器測量耗盡與未耗盡安瓿時的頻率變化對比
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SemiQCM傳感器還能通過連續監測識別腔室或處理系統中的潛在泄漏，進一步提升工藝可靠性與穩定性。
發生泄漏時，氧氣（O?）進入載氣管道，會降低前驅體分壓，影響沉積效果，同時引發SemiQCM傳感器頻率顯著偏移。一方面晶片因前驅體不足導致膜厚下降，另一方面傳感器表面的MoCl?或Mo會與氧氣反應生成高密度的鉬氧化合物，導致質量顯著增加，頻率急劇下降。這種異常頻率變化可用于早期泄漏檢測，避免工藝中斷。
前驅體未耗盡時，SemiQCM傳感器在有無泄漏情況下的歸一化頻率變化對比
在半導體制造工藝不斷邁向新高度的今天，對每一環節的精確控制與一致性都提出了高要求。INFICON SemiQCM 傳感器正是這一進程中的關鍵保障，它使制造商能夠實現毫秒級的工藝洞察、精準預警安瓿耗盡與泄漏風險，從而大幅提升良率、降低廢片率，賦能高效益、高穩定性的智能化生產未來。
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